[发明专利]具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器

摘要

本发明提出一种具有多种隔离结构的图像传感器，所述图像传感器的各感光器件之间及多个晶体管之间设置有不同形式的隔离结构，各感光器件及各晶体管之间可以采用离子注入方式隔离，STI或LOCOS隔离，或部分采用STI或LOCOS隔离的方式。基于上述多种隔离方式，还可以包括浅层注入隔离的第三隔离方式。本发明提出的隔离设计方案，能有效降低像素电路的暗电流，并可进一步提高电路的转换增益，提升图像传感器的性能。

主权项

1.一种具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括位于半导体衬底上的多个像素单元构成的像素阵列，每个所述像素单元包括：一个或多个感光器件，所述感光器件之间设置有第一隔离结构；多个晶体管，所述多个晶体管之间分别设置有第二隔离结构；其中，所述图像传感器的所述第一隔离结构和所述第二隔离结构相同或不同；所述第一隔离结构和所述第二隔离结构不同时，所述第二隔离结构为STI隔离或部分STI隔离，或者所述第二隔离结构为LOCOS隔离或部分LOCOS隔离。