[发明专利]溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法

摘要

本发明涉及溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法。溅射阴极具有溅射靶，所述溅射靶具有横截面形状具有相互相对的一对长边部的管状的形状且侵蚀面朝向内侧。使用该溅射阴极，在由溅射靶包围的空间的上方，使具有宽度比溅射靶的长边部窄的成膜区域的被成膜体与溅射靶的一端面平行地且沿与长边部垂直的方向以恒定速度移动，同时进行放电使得产生沿着溅射靶的内表面环绕的等离子体，利用由溅射气体产生的等离子体中的离子使溅射靶的长边部的内表面进行溅射，从而在被成膜体的成膜区域进行成膜。

主权项

1.一种溅射阴极，其特征在于，所述溅射阴极具有：溅射靶，所述溅射靶具有横截面形状具有相互相对的一对长边部的管状的形状、且侵蚀面朝向内侧，永磁铁，所述永磁铁设置在所述溅射靶的外侧，和磁轭，所述磁轭设置在所述永磁铁的外侧；由所述永磁铁和所述磁轭形成的磁路以产生在溅射时在所述溅射靶的内表面附近产生沿着该内表面环绕的等离子体的磁力线的方式形成，所述溅射阴极以在溅射时通过利用所述等离子体中的溅射气体的离子进行溅射而溅射粒子从所述侵蚀面向由所述溅射靶包围的空间的外部飞出的方式构成，在溅射时被成膜体置于由所述溅射靶包围的空间的外部，使用向由所述溅射靶包围的空间的外部飞出的所述溅射粒子在所述被成膜体上进行成膜。