[发明专利]高频低损耗无线充电器磁片及其生产方法在审
| 申请号： | 201910227066.7 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN109961918A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 郑光列;凌跃辉;官彤 | 申请（专利权）人： | 自贡市光大电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01F1/36 | 分类号： | H01F1/36;C04B35/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 643000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高频低损耗无线充电器磁片及生产方法。该磁片的原料配方包括氧化铁、四氧化三锰、氧化锌、氧化镍、氧化钴、四氧化锡、五氧化二铌、五氧化二钒。其生产方法包括以下步骤：A.原料混合；B.预烧；C.砂磨；D.造粒；E.成型；F.烧结。本发明通过主配方的改变达到所需电气性能，并通过微量元素的添加以及工艺的改变提高产品质量，达到高密度高一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁片 高频低损耗 无线充电器 四氧化三锰 五氧化二钒 五氧化二铌 电气性能 四氧化锡 原料混合 原料配方 烧结 微量元素 氧化镍 氧化铁 氧化锌 氧化钴 主配方 砂磨 预烧 造粒 生产 成型 | ||
【主权项】：
1.一种高频低损耗无线充电器磁片，其特征在于：所述磁片的生产原料包括氧化铁、四氧化三锰、氧化锌、氧化镍、氧化钴、四氧化锡、五氧化二铌、五氧化二钒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于自贡市光大电子有限责任公司，未经自贡市光大电子有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910227066.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
