[发明专利]用于AlN单晶生长的复合籽晶及其制备方法有效
| 申请号： | 201910227102.X | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111733456B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 郭丽伟;胡伟杰;王文军;陈小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/02;C23C14/06;C23C16/26;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于AlN单晶生长的复合籽晶，包括AlN陶瓷基片、位于所述AlN陶瓷基片之上的石墨烯薄层以及位于所述石墨烯薄层之上的AlN薄膜。本发明还提供一种制备本发明的用于AlN单晶生长的复合籽晶的方法，包括如下步骤：(1)在AlN陶瓷基片上形成石墨烯薄层；(2)采用薄膜沉积技术在所述石墨烯薄层上制备AlN薄膜，得到AlN陶瓷/石墨烯/AlN薄膜复合籽晶。本发明制备的复合籽晶尺寸仅取决于使用者所制备或获得的AlN陶瓷基片的尺寸，可以满足任意尺寸籽晶的需求。同时，本发明制备的复合籽晶与AlN单晶物理性质相似、不引入外来杂质、不存在异质籽晶导致的晶格失配和热膨胀系数失配问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 aln 生长 复合 籽晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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