[发明专利]一种晶圆级红外探测芯片的封装方法有效

专利信息
申请号: 201910227181.4 申请日: 2019-03-25
公开(公告)号: CN110047858B 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 林明芳;陈俊宇;郭信良 申请(专利权)人: 江苏鼎茂半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 查杰
地址: 215000 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种晶圆级红外探测芯片的封装方法,包括以下步骤:步骤一、在红外探测芯片的金属化区设置金属层;步骤二、向上腔体内放入第一材料,第一材料包括具有金属层的红外探测芯片;之后上腔体升温至第一温度并保温;步骤三、向下腔体内放入第二材料,第二材料包括光学窗和吸气剂,之后下腔体依次对第二材料做除气处理和激活处理;步骤四、遮板打开,真空回流焊接机升温至焊接温度并保温;焊接温度即为金属层的熔点;金属层在焊接温度下融化,而融化的金属层将红外探测芯片与光学窗结合在一起;步骤五、真空回流焊接机停止加温,自然冷却至常温,之后取出成品。其适用于晶圆级红外探测芯片封装,精度高,成品良率高。
搜索关键词: 一种 晶圆级 红外 探测 芯片 封装 方法
【主权项】:
1.一种晶圆级红外探测芯片的封装方法,基于真空回流焊接机,所述真空回流焊接机包括上腔体和下腔体,所述上腔体与下腔体间设置有遮板,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、红外探测芯片包括感光区,环绕所述感光区设置有金属化区,在所述金属化区设置金属层;步骤二、向所述上腔体内放入第一材料,所述第一材料包括具有金属层的红外探测芯片,所述红外探测芯片正面朝下;之后所述上腔体升温至第一温度并保温;步骤三、向所述下腔体内放入第二材料,所述第二材料包括光学窗和吸气剂,之后所述下腔体依次对第二材料做除气处理和激活处理;步骤四、所述遮板打开,所述真空回流焊接机升温至焊接温度并保温;焊接温度即为所述金属层的熔点;所述金属层在所述焊接温度下融化,而融化的金属层将红外探测芯片与光学窗结合在一起;步骤五、所述真空回流焊接机停止加温,自然冷却至常温,之后取出成品。
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