[发明专利]一种晶圆级红外探测芯片的封装方法有效
申请号: | 201910227181.4 | 申请日: | 2019-03-25 |
公开(公告)号: | CN110047858B | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 林明芳;陈俊宇;郭信良 | 申请(专利权)人: | 江苏鼎茂半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 查杰 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆级红外探测芯片的封装方法,包括以下步骤:步骤一、在红外探测芯片的金属化区设置金属层;步骤二、向上腔体内放入第一材料,第一材料包括具有金属层的红外探测芯片;之后上腔体升温至第一温度并保温;步骤三、向下腔体内放入第二材料,第二材料包括光学窗和吸气剂,之后下腔体依次对第二材料做除气处理和激活处理;步骤四、遮板打开,真空回流焊接机升温至焊接温度并保温;焊接温度即为金属层的熔点;金属层在焊接温度下融化,而融化的金属层将红外探测芯片与光学窗结合在一起;步骤五、真空回流焊接机停止加温,自然冷却至常温,之后取出成品。其适用于晶圆级红外探测芯片封装,精度高,成品良率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶圆级 红外 探测 芯片 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆级红外探测芯片的封装方法,基于真空回流焊接机,所述真空回流焊接机包括上腔体和下腔体,所述上腔体与下腔体间设置有遮板,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、红外探测芯片包括感光区,环绕所述感光区设置有金属化区,在所述金属化区设置金属层;步骤二、向所述上腔体内放入第一材料,所述第一材料包括具有金属层的红外探测芯片,所述红外探测芯片正面朝下;之后所述上腔体升温至第一温度并保温;步骤三、向所述下腔体内放入第二材料,所述第二材料包括光学窗和吸气剂,之后所述下腔体依次对第二材料做除气处理和激活处理;步骤四、所述遮板打开,所述真空回流焊接机升温至焊接温度并保温;焊接温度即为所述金属层的熔点;所述金属层在所述焊接温度下融化,而融化的金属层将红外探测芯片与光学窗结合在一起;步骤五、所述真空回流焊接机停止加温,自然冷却至常温,之后取出成品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的