[发明专利]一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201910227480.8 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN109888023B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 李民;张伟;徐苗;徐华;庞佳威;陈子楷;张艳丽 | 申请（专利权）人： | 广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 510700 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种顶栅型薄膜晶体管，所述顶栅型薄膜晶体管包括：衬底、氧化物修饰层、有源层、栅绝缘层、栅极、钝化层、源极和漏极；所述氧化物修饰层设置于所述有源层与所述栅绝缘层之间。氧化物修饰层可对顶栅型薄膜晶体管的性能进行调节，达到了提高稳定性的作用，同时还可将氧化物修饰层和有源层同时进行图形化，可不增加光刻次数，因而在不增加光刻成本的前提下提高了顶栅型薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 顶栅型 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述顶栅型薄膜晶体管包括：衬底、有源层、氧化物修饰层、栅绝缘层、栅极、钝化层、源极和漏极；所述氧化物修饰层设置于有源层与所述栅绝缘层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州新视界光电科技有限公司，未经广州新视界光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910227480.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法
- 同类专利
- 专利分类
