[发明专利]增强抵抗电磁辐射的电路有效
| 申请号： | 201910227617.X | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110149789B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 南京中感微电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人： | 杨晓东 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增强抵抗电磁辐射的电路，其包括至少一个增强抵抗电磁辐射的电路单元，所述增强抵抗电磁辐射的电路单元包括：静电保护电路，所述静电保护电路与对应的压焊区临近设置，且所述静电保护电路连接于所述压焊区和接地端之间；开关，所述开关连接于所述压焊区和第一连接节点之间；至少一个电磁辐射分担电路，所述电磁辐射分担电路远离所述静电保护电路设置，且所述电磁辐射分担电路连接于第一连接节点和接地端之间。与现有技术相比，本发明为静电保护电路增设至少一个电磁辐射分担电路，由电磁辐射分担电路分担过多的电磁辐射信号，从而提高被干扰的芯片抵抗电磁辐射的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 抵抗 电磁辐射 电路 | ||
【主权项】：
1.一种增强抵抗电磁辐射的电路，其特征在于，其包括至少一个增强抵抗电磁辐射的电路单元，所述增强抵抗电磁辐射的电路单元包括：静电保护电路，所述静电保护电路与对应的压焊区临近设置，且所述静电保护电路连接于所述压焊区和接地端之间；开关，所述开关连接于所述压焊区和第一连接节点之间；至少一个电磁辐射分担电路，所述电磁辐射分担电路远离所述静电保护电路设置，且所述电磁辐射分担电路连接于第一连接节点和接地端之间。
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