[发明专利]一种二氧化硅和氧化铝两层包覆量子点及其制备方法及量子点薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910227852.7 申请日: 2019-03-25
公开(公告)号: CN109796975A 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 孙小卫;王恺;杨鸿成;徐冰;刘乙樽;张超健;李祥;白雪 申请(专利权)人: 深圳扑浪创新科技有限公司
主分类号: C09K11/65 分类号: C09K11/65;H01L33/50
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区布吉街道甘李*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种二氧化硅和氧化铝两层包覆量子点及其制备方法及量子点薄膜的制备方法,所述量子点的包覆层包括二氧化硅包覆层,以及包覆于所述二氧化硅包覆层外侧的氧化铝包覆层。所述二氧化硅/氧化铝包覆量子点及其制备方法包括以下步骤:将量子点溶液分散于溶剂中,得到量子点分散液;将所述量子点分散液与硅源溶液混合,反应后与铝源溶液混合,反应后得到所述二氧化硅和氧化铝两层包覆的量子点。所述二氧化硅和氧化铝两层包覆的量子点其QY几乎保持与原量子点一致。
搜索关键词: 量子点 二氧化硅 氧化铝 制备 包覆 两层 二氧化硅包覆层 包覆的 分散液 薄膜 氧化铝包覆层 量子点溶液 硅源溶液 铝源溶液 包覆层 溶剂
【主权项】:
1.一种二氧化硅和氧化铝两层包覆的量子点,其特征在于,所述量子点的包覆层包括二氧化硅包覆层,以及包覆于所述二氧化硅包覆层外侧的氧化铝包覆层。
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