[发明专利]一种用于高能射线探测的铅基卤素钙钛矿膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于高能射线探测的铅基卤素无机钙钛矿膜的制备方法，该方法是利用组分调控得到前驱体原料，将这些前驱体原料混合均匀后分散作为多个蒸发源，每个蒸发源中的前驱体原料各元素配比比例保持不变，从而利用同源多分共蒸方法实现气相转移沉积钙钛矿膜的制备。本发明通过在气相转移沉积方法的沉积过程中补入适量的组分原料，同时采用同源多分共蒸的方法，可以制得适用于高能射线探测等用途的无机钙钛矿厚膜，该方法操作简单，制备出的钙钛矿厚膜厚度大、晶粒大、均匀性好且表面覆盖好，可制得性能良好且稳定性优异的半导体探测器。

主权项

1.一种用于高能射线探测的铅基卤素无机钙钛矿膜的制备方法，该方法基于真空蒸发法，其特征在于，该方法是利用组分调控得到前驱体原料，将这些前驱体原料混合均匀后分散作为多个蒸发源，每个蒸发源中的前驱体原料各元素配比比例保持不变，从而利用同源多分共蒸方法实现厚度从1微米到300微米的气相转移沉积钙钛矿膜的制备；其中，所述组分调控具体是向满足名义化学元素剂量比配比的铅基卤素无机钙钛矿APbX₃前驱体组分中额外添加AX初始原料组分或PbX₂初始原料组分，所述AX初始原料组分和所述PbX₂初始原料组分用于共同构成所述满足名义化学元素剂量比配比的铅基卤素无机钙钛矿APbX₃前驱体组分；当受热后所述AX初始原料组分比所述PbX₂初始原料组分更易更先分解逸出时，具体是向满足名义化学元素剂量比配比的铅基卤素无机钙钛矿前驱体组分中额外添加AX初始原料组分；当受热后所述PbX₂初始原料组分比所述AX初始原料组分更易更先分解逸出时，具体是向满足名义化学元素剂量比配比的铅基卤素无机钙钛矿前驱体组分中额外添加PbX₂初始原料组分；由此得到组分调控后的所述前驱体原料，其中A代表Cs，X代表卤族元素。