[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910227977.X | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111293044A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡宏奇 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/768;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一第二半导体层与一第二半导体层、以及一第一连结导体、一第二连结导体与一第三连结导体。该第二半导体层设于该第一半导体层之上。该第一连结导体设于该第一半导体层之上。该第二连结导体设于该第二半导体层之上。该第三连结导体包括由该第一连结导体与该第二连结导体形成的一硅化物材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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