[发明专利]一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201910227990.5 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN109950322B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;李美灵;李民;张伟;王磊;邹建华;陶洪;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种顶栅型薄膜晶体管，所述顶栅型薄膜晶体管包括：衬底、氧化物修饰层、有源层、栅绝缘层、栅极、钝化层、源极和漏极；所述氧化物修饰层设置于所述衬底与所述有源层之间。氧化物修饰层可对顶栅型薄膜晶体管的性能进行调节，达到了提高稳定性的作用，同时还可将氧化物修饰层和有源层同时进行图形化，可不增加光刻次数，因而在不增加光刻成本的前提下提高了顶栅型薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 顶栅型 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述顶栅型薄膜晶体管包括：衬底、氧化物修饰层、有源层、栅绝缘层、栅极、钝化层、源极和漏极；所述氧化物修饰层设置于所述衬底与所述有源层之间。
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