[发明专利]发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201910228015.6 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110010733B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王思博;孟芳芳;简弘安;刘宇轩;陈顺利;丁逸圣 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00;H01L33/26;H01L21/304 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭玮;李双皓 |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请提供一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，通过所述发光二极管芯片的制备方法对所述电流扩展层低温氮气退火及高温氮气快速退火两次退火，实现对所述电流扩展层结构的改善及与所述P型半导体层的欧姆接触。所述电流扩展层的优化降低了所述电流扩展层对光的散射及增加所述电流扩展层内载流子浓度，实现对所述电流扩展层的透过率的提升及阻值的降低，从而实现对LED的亮度提升及电压降低，最终提高LED效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底(10)，所述衬底(10)上依次制备N型半导体层(210)、发光层(220)以及P型半导体层(230)；将所述P型半导体层(230)远离所述发光层(220)的部分表面沉积电流阻挡层(30)；将所述电流阻挡层(30)远离所述P型半导体层(230)的表面以及所述P型半导体层(230)远离所述发光层(220)的表面沉积电流扩展层(40)，并进行第一次退火处理；第一次退火处理后，在所述电流扩展层(40)远离所述P型半导体层(230)的表面进行光刻及刻蚀，刻蚀至所述N型半导体层(210)，形成N型半导体台面(50)，并进行第二次退火处理。
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