[发明专利]一种半导体芯片正面铝层可焊化方法有效
| 申请号： | 201910228034.9 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110034016B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 梁琳;颜小雪;康勇;李有康;项卫光 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;浙江正邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;C23C14/30;C23C14/16;C23C14/04 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于双面散热半导体领域，更具体地，涉及一种半导体芯片正面铝层可焊化方法，特别涉及一种宽禁带垂直功率半导体器件的正面电极可焊化工艺方法。其通过首先采用湿法腐蚀去除芯片正面粘合性较差的自然氧化铝层，然后再依次蒸发镀金属Ti、Ni、Ag，该金属化方法不仅使得处理后的芯片具有良好的导电性，又使商用半导体芯片从单面可焊接改进为双面可焊接，有利于实现双面散热，提高半导体模块的功率密度的同时还可改善半导体封装的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 正面 铝层可焊化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片正面铝层可焊化方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)通过光刻方法在清洗后的芯片正面非电极区域覆盖光刻胶，得到光刻胶保护的芯片正面；(2)对所述光刻胶保护的芯片正面采用湿法腐蚀处理，去除所述芯片正面铝层表面的氧化铝层，腐蚀完成后清洗表面残留的腐蚀剂，获得去除表面氧化铝层的芯片正面；(3)在去除表面氧化铝层的芯片正面依次蒸镀金属钛、金属镍和金属银，获得蒸镀金属的芯片正面；(4)对所述蒸镀金属的芯片正面进行光刻胶剥离处理，获得正面铝层可焊的半导体芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学;浙江正邦电子股份有限公司，未经华中科技大学;浙江正邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910228034.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
