[发明专利]一种新型MoS2有效

专利信息
申请号: 201910228140.7 申请日: 2019-03-25
公开(公告)号: CN109908874B 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 倪刚;马仪梅;刑永雷;晋晓勇;武丹萍 申请(专利权)人: 宁夏大学
主分类号: B01J20/26 分类号: B01J20/26;B01J20/30;G01N21/64;G01N21/33;G01N27/26
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 李艳萍;丁建宝
地址: 750021 宁夏回族*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明属于分子印迹技术和生物分析检测技术领域,涉及一种新型MoS2 QDs@MIPs分子印迹聚合物及制备方法。本发明的制备方法是先制备量子点MoS2 QDs,再通过将阿米卡星嵌入到二氧化硅壳中包裹在MoS2 QDs核上得到量子点复合物,最后将量子点复合物中阿米卡星洗脱下来得到具有阿米卡星空间印迹位点的分子印迹聚合物MoS2 QDs@MIPs。该法简单易行、成本低廉,所得MoS2QDs@MIPs具有较为稳定的光学性能,对被检测物质阿米卡星具有高选择性,同时具有较短的响应时间,用于检测阿米卡星时具有检测成本低、灵敏度高、速度快的优点,可用于阿米卡星的含量检测。
搜索关键词: 一种 新型 mos base sub
【主权项】:
1.一种新型分子印迹聚合物MoSQDs@MIPs的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:首先制备量子点MoSQDs,然后再通过将阿米卡星嵌入到二氧化硅壳中包裹在 MoSQDs 核上得到量子点复合物,最后将量子点复合物中阿米卡星洗脱下来得到具有阿米卡星空间印迹位点的分子印迹聚合物MoSQDs@MIPs。
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