[发明专利]SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器有效
| 申请号： | 201910228164.2 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111739570B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 殷标;孟皓 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C14/00 | 分类号： | G11C14/00 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元，包括：用于提供自旋轨道矩的重金属线、两个MTJ及其各自连接的二极管、双向选通器以及一个晶体管，所述重金属线的两端各自连接至一条位线，两个所述MTJ均位于所述重金属线的上表面，所述MTJ的自由层靠近所述重金属线而固定层远离所述重金属线，两个所述MTJ通过各自连接的二极管连接至所述晶体管的漏极，两个所述二极管的连接方向相反；所述双向选通器的一端与所述重金属线连接，连接点位于所述重金属线的两个所述MTJ之间的位置，所述双向选通器的另一端与所述晶体管的漏极连接；所述晶体管的栅极与字线连接，所述晶体管的源极与源线连接。本发明能够减小存储单元的面积，提高存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | sot mram 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
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