[发明专利]一种增益增强的运算放大器有效
| 申请号： | 201910228182.0 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110138344B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 南京中感微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/45;H03G3/30 |
| 代理公司： | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人： | 柯夏荷 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种运算放大器，其包括PMOS场效应晶体管MP1、MP2、MP3、MP4、NMOS场效应晶体管MN1、MN2、MN3、MN4以及电流源I1。场效应晶体管MP1的源极与电流源I1的电流输出端相连，场效应晶体管MP1的衬体端与其栅极相连后作为所述运算放大器的第一输入端；场效应晶体管MP2的源极与电流源I1的电流输出端相连，场效应晶体管MP2的衬体端与其栅极相连后作为所述运算放大器的第二输入端。由于MP1和MP2的衬体端的连接方式发生了改变，提高了所述运算放大器的总增益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增益 增强 运算放大器 | ||
【主权项】：
1.一种运算放大器，其特征在于，其包括PMOS场效应晶体管MP1、MP2、MP3、MP4、NMOS场效应晶体管MN1、MN2、MN3、MN4以及电流源I1，场效应晶体管MP3的源极与电源端相连，场效应晶体管MN2的源极与接地端相连，场效应晶体管MP3的漏极与场效应晶体管MN2的漏极相连，场效应晶体管MP3的栅极与其漏极和场效应晶体管MP4的栅极相连，场效应晶体管MN2的栅极与场效应晶体管MN1的栅极和漏极相连；场效应晶体管MP4的源极与电源端相连，场效应晶体管MN4的源极与接地端相连，场效应晶体管MP4的漏极与场效应晶体管MN4的漏极相连后作为所述运算放大器的输出端，场效应晶体管MN4的栅极与场效应晶体管MN3的栅极和漏极相连；场效应晶体管MP1的源极与电流源I1的电流输出端相连，电流源I1的电流输入端与电源端相连，场效应晶体管MP1的衬体端与其栅极相连后作为所述运算放大器的第一输入端，场效应晶体管MP1的漏极与场效应晶体管MN1的漏极相连，场效应晶体管MN1的源极与接地端相连；场效应晶体管MP2的源极与电流源I1的电流输出端相连，场效应晶体管MP2的衬体端与其栅极相连后作为所述运算放大器的第二输入端，场效应晶体管MP2的漏极与场效应晶体管MN3的漏极相连，场效应晶体管MN3的源极与接地端相连。
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