[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910228515.X | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110660856A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 綦振瀛;邹承翰;陈仕鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露提供半导体接触结构、包含半导体接触结构的半导体装置及其制造方法。在实施方式中，半导体装置包含基板上的通道层；通道层上的介面层，其中介面层包含钛(Ti)且接触通道层；以及在介面层上的接触金属层，其中接触金属层包含铝硅铜合金(AlSiCu)。 | ||
| 搜索关键词： | 介面层 半导体装置 接触金属层 接触结构 通道层 半导体 铝硅铜合金 接触通道 基板 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：/n一通道层，位于一基板上；/n一介面层，位于该通道层上，其中该介面层包含钛(Ti)且接触该通道层；以及/n一接触金属层，位于该介面层上，其中该接触金属层包含铝硅铜合金(AlSiCu)。/n
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