[发明专利]3D存储器件及其数据操作方法有效
| 申请号： | 201910229050.X | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN109949835B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;黄莹;魏文喆;王明;王启光 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C16/14;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;刘静 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件的数据操作方法，3D存储器件具有沿垂直于衬底的方向排列的多个存储单元串，每个存储单元串包括第一选择晶体管、第一伪存储单元、多个主存储单元、第二伪存储单元和第二选择晶体管，包括：接收擦除指令；根据擦除指令对第一伪存储单元、多个主存储单元以及第二伪存储单元执行擦除操作；在擦除操作结束后验证多个主存储单元是否擦除成功；当多个主存储单元擦除成功时，接收编程指令；根据编程指令对第一伪存储单元和第二伪存储单元执行编程操作。本申请通过对伪存储单元和存储单元同时擦除，然后再对伪存储单元进行编程，提高边缘存储单元的擦除效率，减少擦除次数，提高存储单元的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 数据 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D存储器件的数据操作方法，所述3D存储器件具有沿垂直于衬底的方向排列的多个存储单元串，每个存储单元串包括第一选择晶体管、第一伪存储单元、多个主存储单元、第二伪存储单元和第二选择晶体管，其中，第一选择晶体管、第一伪存储单元、第二伪存储单元、多个主存储单元和第二选择晶体管分别耦接到串选择线、第一伪字线、多条主字线、第二伪字线和地选择线，所述方法包括：接收擦除指令；根据所述擦除指令对第一伪存储单元、多个主存储单元以及第二伪存储单元执行擦除操作；在擦除操作结束后验证多个主存储单元是否擦除成功；当多个主存储单元擦除成功时，接收编程指令；根据所述编程指令对第一伪存储单元和第二伪存储单元执行编程操作。
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