[发明专利]栅极制造方法、场效应晶体管形成方法及场效应晶体管

摘要

本发明涉及栅极制造方法、场效应晶体管形成方法及场效应晶体管，涉及半导体集成电路制造方法，在栅极的制造过程中，通过以形成于位于硬质硬掩膜层上的牺牲层两侧的侧墙充当遮蔽层，选择性除去牺牲层后，用光刻刻蚀工艺将侧墙结构传递到下层薄膜层形成一侧较为平滑的栅极结构，从而有效改善多晶硅栅关键尺寸随机波动造成的场效应晶体管的源端漏电问题。

主权项

1.一种栅极制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面依次形成栅介质层、多晶硅栅层以及硬质掩模层；S2：在所述硬质掩模层上形成牺牲层，然后进行光刻刻蚀工艺，刻蚀掉所述半导体衬底两侧部分的牺牲层，保留中间部分的牺牲层，形成牺牲层结构，漏出所述半导体衬底两侧的所述硬质掩模层；S3：形成一第二硬质掩模层，所述第二硬质掩模层覆盖所述牺牲层结构的顶部、所述牺牲层结构的侧面以及漏出的所述硬质掩模层的表面；S4：以所述硬质掩模层为遮蔽层进行光刻刻蚀工艺，在所述牺牲层结构的侧面形成由所述第二硬质掩模层构成的侧墙；以及S5：进行选择性刻蚀工艺，刻蚀掉所述牺牲层结构，然后以所述侧墙为遮蔽物进行光刻刻蚀工艺，刻蚀掉所述硬质掩模层和多晶硅栅层，以形成第一栅极结构和第二栅极结构，其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构由刻蚀后的所述多晶硅栅层、所述硬质掩模层和所述第二硬质掩模层叠加而成。