[发明专利]发光二极管的外延片的制备方法及外延片

摘要

本发明公开了发光二极管的外延片的制备方法及外延片，属于发光二极管制作领域。向反应腔间断性地通入镓源持续通入铝源，间断性通入镓源可使得反应腔内存在适量的镓原子，适量的镓原子起到活化剂的作用，得到的AlGaN缓冲子层的质量较好，AlN缓冲子层与存在适量镓原子的AlGaN缓冲子层匹配良好，对在AlGaN缓冲子层上生长的AlN缓冲子层的质量有提高。而在生长AlN缓冲子层时，由于氨气与铝源之间存在气相反应，这种反应生成的部分反应物会掺入AlN缓冲子层中，影响AlN缓冲子层的质量。间断性地通入氨气，氨气的减少可以抑制铝与氨气发生气相反应，减少氨气与铝源反应生长的反应物并入AlN缓冲子层，提高AlN缓冲子层的质量，最终得到的外延片的晶体质量得到提高。

主权项

1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；向反应腔内间断性地通入镓源，向反应腔内持续通入铝源、氨气，在所述衬底上生长AlGaN缓冲子层；向所述反应腔内间断性地通入氨气，向反应腔内持续通入铝源，在所述AlGaN缓冲子层上生长AlN缓冲子层；在所述AlN缓冲子层上生长非掺杂GaN层；在所述非掺杂GaN层上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长多量子阱层；在所述多量子阱层上生长P型GaN层。