[发明专利]一种生长在碳布上的富银硒化银柔性场发射阴极材料的制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910232341.4 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109950113B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李羚玮;侯鑫;薛绍林 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹;王文颖 |
| 地址： | 201600 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长在碳布上的富银硒化银纳米材料的制备方法和其在场发射阴极材料中的应用。所述制备方法为：将含有银源和硒源的混合溶液倒入装有碳纤维布的聚四氟乙烯作内衬的高压反应釜中，然后进行密闭，放入反应炉里进行加热反应，得到富银硒化银纳米材料；所述含有银源和硒源的混合溶液的制备方法为：将硝酸银粉末和相同物质的量的十六烷基三甲基溴化铵溶于去离子水中，再加入硒粉、乙二醇，混合均匀，向其中加入氨水，搅拌均匀，得到含有银源和硒源的混合溶液。本发明合成的生长在碳布上的富银硒化银纳米材料具备优异的场发射性能，能作为场发射阴极材料用于半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 碳布上 富银硒化银 柔性 发射 阴极 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种生长在碳布上的富银硒化银纳米材料的制备方法，其特征在于，将含有银源和硒源的混合溶液倒入装有碳纤维布的聚四氟乙烯作内衬的高压反应釜中，然后进行密闭，放入反应炉里进行加热反应，得到富银硒化银纳米材料；所述含有银源和硒源的混合溶液的制备方法为：将硝酸银粉末和相同物质的量的十六烷基三甲基溴化铵溶于去离子水中，再加入硒粉、乙二醇，混合均匀，向其中加入氨水，搅拌均匀，得到含有银源和硒源的混合溶液。
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