[发明专利]一种用于降低LED晶圆曲翘度的工艺制造方法

摘要

本发明提供了一种用于降低LED晶圆曲翘度的工艺制造方法，该工艺制造方法相比较传统的制造工艺而言，先进行切割后进行研磨，确保研磨过程中的应力得到有效释放，进而降低产品曲翘度。传统的制造工艺的晶圆片曲翘度为15mm，而本申请的制造方法可以使晶圆片的曲翘度降低至7mm，有效的将产品的曲翘度降低约50％，极大程度的降低了后续制造工艺的难度，提升了产品的良品率，降低产品成本。并且，在第一次半切割过程中，依据厚度选用合适的刀高，可以避免研磨过程中破片的风险。

主权项

1.一种用于降低LED晶圆曲翘度的工艺制造方法，其特征在于，所述工艺制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长外延层，所述外延层为在第一方向上依次生长的缓冲层、DBR反射层、N型限制层、MQW量子阱有源层、P型限制层和P型窗口层，其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层；在所述P型窗口层背离所述P型限制层的一侧设置P电极；设置保护层，所述保护层覆盖所述外延层和所述P电极；测量所述P电极与所述衬底之间的厚度；依据所述厚度，确定刀高从所述P电极开始进行第一次半切割，且至少切穿所述MQW量子阱有源层；对所述衬底进行减薄处理；在所述衬底背离所述外延层的一侧设置N电极；去除所述保护层；沿着所述第一次半切割的痕迹，进行第二次切割，且切穿所述N电极，以形成单个的LED芯粒。