[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910233472.4 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111755510A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 吴传佳 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件依次包括衬底、多层半导体层、钝化层和贯穿钝化层的源极、栅极和漏极，钝化层包括第一钝化层以及至少一层其他钝化层；第一钝化层与多层半导体层产生第一应变相互作用，第一钝化层中形成第一切应力；其他钝化层与第一钝化层产生第二应变相互作用，第一钝化层中形成第三切应力；其中，第一切应力与第三切应力方向相反。通过在第一钝化层中形成方向相反的切应力，第三切应力至少中和部分第一切应力，降低第一钝化层与多层半导体层中的第一应变相互作用，降低第一应变相互作用对多层半导体层中二维电子气的影响，确保多层半导体层中的二维电子气受影响较小，保证半导体器件性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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