[发明专利]一种氧化铪基铁电栅场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910233623.6 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109950316B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 廖敏;曾斌建;周益春;廖佳佳;彭强祥;郇延伟 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 陈超 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
一种氧化铪基铁电栅场效应晶体管，包括：衬底；隔离区，设置在衬底的周边；栅结构，包括由下至上依次层叠设置在衬底上表面中部的缓冲层、浮栅电极、氧化铪基铁电薄膜层、控制栅电极和薄膜电极层；侧墙，设置在栅结构外侧；源区和漏区，相对设置在栅结构的两侧，由隔离区的内侧朝衬底的中部延伸形成；第一金属硅化物层，由隔离区的内侧朝侧墙延伸形成；第二金属硅化物层，设置在栅结构上表面，且其下表面紧贴栅结构；浮栅电极和控制栅电极的材料为HfN |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 铪基铁电栅 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化铪基铁电栅场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底(1)；隔离区(2)，设置在所述衬底(1)的周边，其上表面不低于所述衬底(1)的上表面，且底面不低于所述衬底(1)的底面；栅结构(3)，包括由下至上依次层叠设置在所述衬底(1)上表面中部的缓冲层(31)、浮栅电极(32)、氧化铪基铁电薄膜层(33b)、控制栅电极(34)和薄膜电极层(35)；侧墙(4)，设置在所述栅结构(3)外侧，其内表面紧贴所述栅结构(3)；源区(5)和漏区(6)，相对设置在所述栅结构(3)的两侧，由所述隔离区(2)的内侧朝向所述衬底(1)的中部延伸形成，其上表面与所述衬底(1)齐平，且底面不低于所述隔离区(2)的底面；第一金属硅化物层(71)，由所述隔离区(2)的内侧朝向所述侧墙(4)延伸形成，其上表面高于所述衬底(1)的上表面，底面高于所述隔离区(2)的底面，且所述第一金属硅化物层(71)的长度小于所述源区(5)或漏区(6)的长度；第二金属硅化物层(72)，设置在所述栅结构(3)上表面，且其下表面紧贴所述栅结构(3)；所述浮栅电极(32)和控制栅电极(34)的材料为HfNx，其中，0<x≤1.1。
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