[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910236311.0 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111755512A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成绝缘体堆栈结构；刻蚀绝缘体堆栈结构至半导体衬底形成通孔；在通孔的侧壁上形成沟道层；在形成沟道层的通孔中形成背栅结构。沟道层包括沟道区域以及源/漏极区域，半导体器件的源/漏极和栅极分别形成在源/漏极区域和栅极区域的外围，并且形成垂直的堆叠结构。栅极结构形成全环绕式结构，由此增加了栅极结构与沟道区域的接触面积，实现对栅极的更好控制。本发明的方法能够形成更加紧凑的结构，有利于器件整体尺寸的缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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