[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910236550.6 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111755334B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 罗杰;崔龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有初始栅极结构，初始栅极结构露出的基底上形成有层间介质层，基底包括纵横交叉的第一隔离区和第二隔离区、以及由第一隔离区和第二隔离区围成的器件单元区，初始栅极结构与第一隔离区的延伸方向相同；去除第二隔离区的初始栅极结构形成通孔，剩余初始栅极结构为栅极结构；在层间介质层和栅极结构上形成覆盖层，覆盖层密封通孔形成空气隙；刻蚀第一隔离区的覆盖层、栅极结构及部分厚度基底形成通槽；去除剩余覆盖层；在通槽和通孔中形成隔离结构。本发明通过形成空气隙，使通槽中位于第一隔离区和第二隔离区交叉区域的部分的深度满足工艺需求，以改善漏电流问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
