[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910236695.6 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111755449B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 韩亮;王海英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括形成有沟槽的衬底、位于所述沟槽之间衬底上的隧穿氧化层、以及位于所述隧穿氧化层上的浮栅材料层；在所述沟槽的底部和侧壁、以及所述浮栅材料层的侧壁上形成粘合层；形成所述粘合层后，在所述沟槽中形成隔离层，所述隔离层覆盖所述浮栅材料层的部分侧壁；在所述隔离层顶部形成刻蚀阻挡层；去除所述刻蚀阻挡层所露出的粘合层；去除所述刻蚀阻挡层所露出的粘合层后，形成保形覆盖所述浮栅材料层以及隔离层的栅介质材料层。本发明实施例有利于提升NAND器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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