[发明专利]基于正反向激励的低磁滞TMR磁场测量装置有效

专利信息
申请号: 201910238449.4 申请日: 2019-03-27
公开(公告)号: CN109932668B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 谭超;杨哲;龚晓辉;乐周美;王家成;李宗燎 申请(专利权)人: 三峡大学
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01R33/00
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所 42103 代理人: 吴思高
地址: 443002 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 基于正反向激励的低磁滞TMR磁场测量装置,包括TMR磁阻传感器、差分转单端芯片、模拟开关、加法器、时钟模块、激励线圈。所述激励线圈缠绕在TMR磁阻传感器表面。所述TMR磁阻传感器信号输出端连接差分转单端芯片的输入端,差分转单端芯片的输出端连接模拟开关的引脚a,模拟开关的引脚b、引脚c分别连接储能电容C1一端、储能电容C2一端,储能电容C1一端、储能电容C2一端与加法器连接,模拟开关的引脚d连接时钟模块,时钟模块通过耦合电容C0连接激励线圈。本发明测量装置结构简单,并且能够有效抑制TMR传感器的磁滞,提高磁场测量的精度。
搜索关键词: 基于 反向 激励 低磁滞 tmr 磁场 测量 装置
【主权项】:
1.基于正反向激励的低磁滞TMR磁场测量装置,包括TMR磁阻传感器(1)、差分转单端芯片(2)、模拟开关(3)、加法器(6)、时钟模块(7)、激励线圈(8);其特征在于:所述激励线圈(8)缠绕在TMR磁阻传感器(1)表面;所述TMR磁阻传感器(1)信号输出端连接差分转单端芯片(2)的输入端,差分转单端芯片(2)的输出端连接模拟开关(3)的引脚a,模拟开关3的引脚b、引脚c分别连接储能电容C1一端、储能电容C2一端,储能电容C1一端、储能电容C2一端与加法器(6)连接,模拟开关(3)的引脚d连接时钟模块(7),时钟模块(7)通过耦合电容C0连接激励线圈(8)。
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