[发明专利]基于正反向激励的低磁滞TMR磁场测量装置有效
申请号: | 201910238449.4 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN109932668B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 谭超;杨哲;龚晓辉;乐周美;王家成;李宗燎 | 申请(专利权)人: | 三峡大学 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R33/00 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 吴思高 |
地址: | 443002 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 基于正反向激励的低磁滞TMR磁场测量装置,包括TMR磁阻传感器、差分转单端芯片、模拟开关、加法器、时钟模块、激励线圈。所述激励线圈缠绕在TMR磁阻传感器表面。所述TMR磁阻传感器信号输出端连接差分转单端芯片的输入端,差分转单端芯片的输出端连接模拟开关的引脚a,模拟开关的引脚b、引脚c分别连接储能电容C1一端、储能电容C2一端,储能电容C1一端、储能电容C2一端与加法器连接,模拟开关的引脚d连接时钟模块,时钟模块通过耦合电容C0连接激励线圈。本发明测量装置结构简单,并且能够有效抑制TMR传感器的磁滞,提高磁场测量的精度。 | ||
搜索关键词: | 基于 反向 激励 低磁滞 tmr 磁场 测量 装置 | ||
【主权项】:
1.基于正反向激励的低磁滞TMR磁场测量装置,包括TMR磁阻传感器(1)、差分转单端芯片(2)、模拟开关(3)、加法器(6)、时钟模块(7)、激励线圈(8);其特征在于:所述激励线圈(8)缠绕在TMR磁阻传感器(1)表面;所述TMR磁阻传感器(1)信号输出端连接差分转单端芯片(2)的输入端,差分转单端芯片(2)的输出端连接模拟开关(3)的引脚a,模拟开关3的引脚b、引脚c分别连接储能电容C1一端、储能电容C2一端,储能电容C1一端、储能电容C2一端与加法器(6)连接,模拟开关(3)的引脚d连接时钟模块(7),时钟模块(7)通过耦合电容C0连接激励线圈(8)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三峡大学,未经三峡大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910238449.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。