[发明专利]用于地质过程化学溶蚀研究的微流控芯片及制作方法有效

专利信息
申请号: 201910238487.X 申请日: 2019-03-27
公开(公告)号: CN109894170B 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 胡冉;武东生;陈益峰;周晨星;王一凡;魏鹳举;赵先进 申请(专利权)人: 武汉大学;贵州省水利水电勘测设计研究院
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 艾小倩
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种用于地质过程化学溶蚀研究的微流控芯片及制作方法。包括如下步骤:制备微流控芯片主体,上中下基层通道刻蚀以及上中下基层与微流控芯片主体的键合与封装,最终得到适用于地质过程化学溶蚀研究目的的微流体芯片。微流控芯片主体的材料可为氯化钠晶体、所测试岩石切片等易获得通用物质,上下基片采用具有透明特性的硅酸盐玻璃载玻片或环氧树脂类的有机玻璃,制备微流体芯片通常只需常温常压条件,整个制作时间为2—3小时。该方法具有通道制作精度高、芯片封装工艺简单、制备时间短、应用灵活、便于批量化生产等优点,同时该方法将微流控技术从生物医学等领域扩展到了地球物理、能源环境等学科。
搜索关键词: 用于 地质 过程 化学 溶蚀 研究 微流控 芯片 制作方法
【主权项】:
1.一种用于地质过程化学溶蚀研究的微流控芯片,其特征在于:包括水平平行布置的含有微通道的微流控芯片主体(1),还包括上基层(2),中基层(3),下基层(4),上粘涂层(5),下粘涂层(6);所述上基层(2)、上粘涂层(5)、中基层(3)、下粘涂层(6)和下基层(4)自上而下依次与微流控芯片主体(1)水平平行布置,所述中基层(3)水平贯穿芯片主体(1)将其分为上半部和下半部,所述上基层(2)、上粘涂层(5)均位于中基层(3)上方;所述下粘涂层(6)和下基层(4)均位于中基层(3)下方;还设有注入口(7),注出口(8)和置于中基层(3)内且水平布置的引流通道(9);所述注入口(7)和注出口(8)均垂直贯通上基层(2)、上粘涂层(5)和中基层(3),并且均与引流通道(9)连通。
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