[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910238662.5 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN110400838A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 李基硕;尹灿植;金桐*;李明东 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张晓;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置，半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一栅极图案，位于第一区域的基底上；以及第二栅极图案，位于第二区域的基底上。第一栅极图案包括顺序地堆叠的第一高k介电图案、第一N型含金属图案和第一P型含金属图案。第二栅极图案包括顺序地堆叠的第二高k介电图案和第二P型含金属图案。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极图案 半导体装置 金属图案 基底 第二区域 第一区域 介电图案 堆叠 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一栅极图案，位于第一区域的基底上；以及第二栅极图案，位于第二区域的基底上，其中，第一栅极图案包括第一高k介电图案、第一N型含金属图案和第一P型含金属图案，第一高k介电图案、第一N型含金属图案和第一P型含金属图案顺序地堆叠，并且其中，第二栅极图案包括第二高k介电图案和第二P型含金属图案，第二高k介电图案和第二P型含金属图案顺序地堆叠。
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