[发明专利]工艺腔室和半导体处理设备有效
| 申请号： | 201910238878.1 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111755308B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 王桂滨;韦刚 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。工艺腔室包括微波产生结构、微波传输结构、微波耦合件、等离子体产生腔和工艺腔；微波传输结构分别连接等离子体产生腔和微波产生结构；微波耦合件穿设在等离子体产生腔中，其能够将微波产生结构产生的微波耦合至等离子体产生腔内，以在微波耦合件的表面形成表面波，以激发工艺气体形成表面波等离子体；工艺腔经由连接管与等离子体产生腔连通。本发明的工艺腔室，属于远程等离子体源的结构，只有需要的大量的活性自由基能够进入到工艺腔内与硅片表面上的物质进行反应，达到预期的工艺效果。此外，该表面波可以电离工艺气体形成高密度的表面波等离子体，可以提高工艺制程的工艺效率，降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910238878.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无人机控制方法及相关装置
- 下一篇：一种防火结构及电器件
