[发明专利]基于上电置位的闭环TMR磁场测量装置有效
| 申请号： | 201910239282.3 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109932670B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 谭超;杨哲;龚晓辉;乐周美;王家成;李宗燎 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00;G01V3/40 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 吴思高 |
| 地址： | 443002 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 基于上电置位的闭环TMR磁场测量装置，包括TMR磁敏传感器、差分转单端芯片、积分电路、V/I转换电路、激励电路、反馈导线。所述反馈导线布置于TMR磁敏传感器下方，且反馈导线所产生的磁场与TMR磁敏传感器的敏感轴相平行；所述TMR磁敏传感器的信号输出端连接差分转单端芯片，差分转单端芯片连接积分电路，积分电路的输出端经V/I转换电路转换后连接到反馈导线，构成闭环回路；所述V/I转换电路包括反馈电阻，用于调节闭环回路中反馈电流的大小；所述反馈导线、V/I转换电路均连接激励电路。本发明装置采用闭环结构，通过设计反馈导线并将其排布在TMR传感器芯片下作为置位和反馈元件，从硬件上对TMR传感器进行磁场补偿，从而抑制传感器磁滞并提高其灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 上电置位 闭环 tmr 磁场 测量 装置 | ||
【主权项】：
1.基于上电置位的闭环TMR磁场测量装置，包括TMR磁敏传感器(1)、差分转单端芯片(2)、积分电路(3)、V/I转换电路(4)、激励电路(5)、反馈导线(6)；其特征在于：所述反馈导线(6)布置于TMR磁敏传感器(1)下方，且反馈导线(6)所产生的磁场与TMR磁敏传感器(1)的敏感轴相平行；所述TMR磁敏传感器(1)的信号输出端连接差分转单端芯片(2)，差分转单端芯片(2)连接积分电路(3)，积分电路(3)的输出端经V/I转换电路(4)转换后连接到反馈导线(6)，构成闭环回路；所述V/I转换电路(4)包括反馈电阻(7)，用于调节闭环回路中反馈电流的大小；所述反馈导线(6)、V/I转换电路(4)均连接激励电路(5)。
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