[发明专利]一种暖机方法及刻蚀方法有效
| 申请号： | 201910240606.5 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111755353B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张海苗;袁仁志 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种暖机方法及刻蚀方法，该暖机方法包括：控温阶段，检测绝缘筒的温度，并在所述绝缘筒的温度小于预设的温度范围时，进行升温工艺，以控制反应腔室的绝缘筒的温度维持在预设的温度范围内，所述升温工艺为等离子体起辉加热所述反应腔室；工艺阶段，进行暖机工艺，以使所述反应腔室达到需求工艺气氛。通过本发明，提高了暖机效率，节省了暖机时间并且减少了暖机成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 方法 刻蚀 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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