[发明专利]一种芯片嵌入式同步整流DCDC防过压击穿的电路系统有效
| 申请号： | 201910242846.9 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN109861535B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张智印 | 申请（专利权）人： | 杭州雄迈集成电路技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158 |
| 代理公司： | 浙江纳祺律师事务所 33257 | 代理人： | 郑满玉 |
| 地址： | 311422 浙江省杭州市富阳*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的是一种芯片嵌入式同步整流DCDC防过压击穿的电路系统，DCDC控制电路包括输出管脚LX以及至少两条支路，延时驱动电路包括输出端口、输出端口，DCDC控制电路的两条支路分别连接延时驱动电路、降压驱动电路，降压驱动电路输出端口和延时驱动电路的输出端口分别与功率管串联电路相连，延时驱动电路的输出端口与NMOS功率管相连，功率管串联电路、NMOS功率管均与DCDC控制电路的输出管脚LX相连，NMOS功率管与所有电路均有一端接地,本发明可以将同步整流型DCDC集成于55nm甚至更低尺寸工艺的SOC，提高SOC芯片的集成度；不会过压击穿导致良率降低；无需要外置DCDC，开发成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 嵌入式 同步 整流 dcdc 击穿 电路 系统 | ||
【主权项】：
1.一种芯片嵌入式同步整流DCDC防过压击穿的电路系统，包括DCDC控制电路(1)、延时驱动电路(2)、降压驱动电路(3)、功率管串联电路(4)和NMOS功率管(N1)，其特征在于：所述DCDC控制电路(1)包括输出管脚LX以及至少两条支路，延时驱动电路(2)包括输出端口(D1)、输出端口(D2)，所述DCDC控制电路(1)的两条支路分别连接延时驱动电路(2)、降压驱动电路(3)，所述降压驱动电路(3)输出端口和延时驱动电路的输出端口(D1)分别与功率管串联电路(4)相连，所述延时驱动电路(2)的输出端口(D2)与NMOS功率管(N1)相连，所述功率管串联电路(4)、NMOS功率管(N1)均与DCDC控制电路(1)的输出管脚LX相连，NMOS功率管(N1)与所有电路均有一端接地。
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