[发明专利]降低杂信比和提高信噪比的阵列式压电薄膜传感器及方法有效
| 申请号： | 201910243096.7 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN110010754B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王剑平;孙莹;曹蕊;聂鑫 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/113;G01N15/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低杂信比和提高信噪比的阵列式压电薄膜传感器及方法。阵列式压电薄膜传感器包括从上到下依次布置的PVDF压电薄膜层、缓冲层和基底，PVDF压电薄膜层是由多片PVDF压电薄膜在同一平面阵列排布而成，阵列式压电薄膜传感器中的缓冲层沿垂直于PVDF压电薄膜的阵列排布方向将缓冲层分为多条缓冲条，每条缓冲条平行于PVDF压电薄膜布置，每条缓冲条尺寸为与PVDF压电薄膜等宽。本发明改善阵列式压电薄膜传感器特性的方法，应用于颗粒碰撞传感器，可有效降低阵列式颗粒碰撞传感器杂信比，同时也提高了传感器的信噪比，为开发性能更优良的颗粒碰撞传感器提供了新的设计思路。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 提高 阵列 压电 薄膜 传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低杂信比和提高信噪比的阵列式压电薄膜传感器，其特征在于：所述的阵列式压电薄膜传感器包括从上到下依次布置的PVDF压电薄膜层、缓冲层和基底，PVDF压电薄膜层是由多片PVDF压电薄膜在同一平面阵列排布而成，阵列式压电薄膜传感器中的缓冲层沿垂直于PVDF压电薄膜的阵列排布方向将缓冲层分为多条缓冲条，每条缓冲条平行于PVDF压电薄膜布置，每条缓冲条尺寸为与PVDF压电薄膜等宽。
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