[发明专利]针状单元沟槽式MOSFET

摘要

一种针状单元沟槽式MOSFET。一种功率半导体管芯（100），其具有耦合到功率半导体管芯（100）的第一负载端子（101）和第二负载端子（102）并且被配置成在负载端子（101、102）之间传导负载电流的半导体本体（190）。该管芯进一步包括：控制沟槽结构（110）；多个功率单元（120）。功率单元（120）中的至少一个包括：第一导电类型的漂移区的部分（191）、第二导电类型的沟道区的部分（192）和第一导电类型的源区的部分（193）；控制部分；柱状场板沟槽（130），其沿垂直方向（Z）延伸到半导体本体（190）中，并且包括电耦合到第一负载端子（101）的场板电极（131），柱状场板沟槽（130）具有在沟道区部分（192）下方的深部（136）以及在深部（136）上方的近端部分（135）。

主权项

1.一种功率半导体管芯（100），其具有半导体本体（190），所述半导体本体（190）耦合到所述功率半导体管芯（100）的第一负载端子（101）和第二负载端子（102），并且被配置成在所述负载端子（101、102）之间传导负载电流，并且包括：‑用于控制所述负载电流的控制沟槽结构（110），所述控制沟槽结构（110）沿垂直方向（Z）延伸到所述半导体本体（190）中，并且根据具有多个栅格开口（116）的水平栅格图案（115）来布置；‑多个功率单元（120），每个功率单元（120）在水平横截面中至少部分地布置在所述多个栅格开口（116）中的相应的一个中，其中所述功率单元（120）中的至少一个包括：‑第一导电类型的漂移区的部分（191）、第二导电类型的沟道区的部分（192）和所述第一导电类型的源区的部分（193），其中沟道区部分（192）电连接到所述第一负载端子（101）并且将源区部分（193）与漂移区部分（191）隔离；以及‑控制部分，其在所述控制沟槽结构（110）中具有至少一个控制电极部分（111）；‑柱状场板沟槽（130），其沿所述垂直方向（Z）延伸到所述半导体本体（190）中，并且包括电耦合到所述第一负载端子（101）的场板电极（131），所述柱状场板沟槽（130）具有在所述沟道区部分（192）下方的深部（136）以及在所述深部（136）上方的近端部分（135），所述近端部分（135）与所述沟道区部分（192）垂直地重叠，其中所述深部（136）的深水平宽度（W2）相当于所述近端部分（135）的近端水平宽度（W1）的至少110％。