[发明专利]一种基于铜纳米线/类石墨烯二硫化钼的OLED透明阳极及其制备方法在审
| 申请号： | 201910243585.2 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN109994639A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘萍;程杰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广东中亿律师事务所 44277 | 代理人： | 杜海江 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铜纳米线/类石墨烯二硫化钼的OLED透明阳极及其制备方法，铜纳米线/类石墨烯二硫化钼的OLED透明阳极从下至上包括聚对苯二甲酸乙二醇酯层，铜纳米线层，聚甲基丙烯酸甲酯层和类石墨烯二硫化钼层，本发明使用高度结晶的聚合物聚对苯二甲酸乙二醇酯作为衬底，使得复合透明导电薄膜具有高柔性，通过在铜纳米线导电网格上制备聚甲基丙烯酸甲酯薄膜的方法，减小了铜纳米线表面的粗糙度，可以很好的防止铜纳米线被空气氧化，在聚甲基丙烯酸甲酯薄膜上制备类石墨烯二硫化钼薄膜，减小了电极与空穴传输层之间的注入势垒，提高载流子的注入效率，进而提高OLED器件的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 铜纳米线 类石墨烯 制备 二硫化钼 透明阳极 聚甲基丙烯酸甲酯薄膜 减小 聚对苯二甲酸乙二醇酯层 载流子 对苯二甲酸乙二醇酯 聚甲基丙烯酸甲酯层 复合透明导电薄膜 二硫化钼薄膜 二硫化钼层 空穴传输层 导电网格 高度结晶 光电性能 聚合物聚 空气氧化 注入势垒 注入效率 粗糙度 高柔性 电极 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种基于铜纳米线/类石墨烯二硫化钼的OLED透明阳极，其特征在于所述OLED透明阳极的结构从下至上包括聚对苯二甲酸乙二醇酯层（1），铜纳米线层（2），聚甲基丙烯酸甲酯层（3）和类石墨烯二硫化钼层（4）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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