[发明专利]场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底在审
| 申请号： | 201910245569.7 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN111755336A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底，能够在满足场效应管小尺寸需求的情况下，减小场效应管的GIDL电流。该制备方法包括：提供半导体衬底，至少一部分半导体衬底上铺设有栅介质层，栅介质层上设有栅极结构以及侧墙，且侧墙至少覆盖栅极结构侧壁；其中，栅介质层下方预设区域的半导体衬底与预设区域外侧的半导体衬底形成台阶；设置隔离层，隔离层覆盖台阶的部分侧壁；在半导体衬底上配置源极以及漏极，源极以及漏极的顶面与台阶齐平。本发明在GIDL电流的传输路径上利用隔离层进行了阻挡，从而能够在满足场效应管小尺寸需求的情况下，减小场效应管的GIDL电流。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 制备 方法 半导体 衬底 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
