[发明专利]一种MIM电容结构及其制备方法

摘要

本发明提供了一种MIM电容结构及其制备方法，所述MIM电容结构在不增加MIM电容结构中的第一电容结构占用芯片面积的同时，可以通过在第一电容结构的纵向上增加第二电容结构，使得MIM电容结构的电容容量包括第一电容结构的电容容量和第二电容结构的电容容量之和，其满足了芯片对于电容的需求，提高了芯片对于设计面积的利用率。

主权项

1.一种MIM电容结构，其特征在于，包括：第一电极，所述第一电极包括相互连接的第一电极层和第一金属连接结构；第二电极，所述第二电极包括相互连接的第二电极层和第二金属连接结构，所述第一电极和第二电极构成第一电容结构；第三电极，所述第三电极包括相互连接的第三电极层和第一金属连接结构，所述第三电极层沿纵向间隔的设置在所述第一电容结构的一侧；第四电极，所述第四电极包括相互连接的第四电极层和第二金属连接结构，所述第三电极和第四电极构成第二电容结构；第一电极间介质层，所述第一电极间介质层覆盖所述第一电极层，所述第二电极层至少部分覆盖所述第一电极间介质层；以及第二电极间介质层，所述第二电极间介质层覆盖所述第三电极层，所述第四电极至少部分覆盖所述第二电极间介质层。