[发明专利]NLDMOS的制造方法

摘要

本发明公开了一种NLDMOS的制造方法，体区形成步骤包括：形成具有定义P型体区的第一开口的第一光刻胶图形。进行刻蚀将深N阱表面露出，刻蚀后形成的多晶硅栅的第一侧面具有第二开口。对第一光刻胶图形进行灰化处理；灰化处理将表面形成有聚合物的第一光刻胶图形的表面部分去除且将第一开口扩大为第三开口，在第二和第三开口间形成第一多晶硅层组成的多晶硅突出部分。进行P型体区的离子注入。去除第一光刻胶图形之后进行快速热退火。采用光刻刻蚀形成栅极结构。在栅极结构的侧面形成侧墙。进行N型重掺杂的源漏注入形成源区和漏区。本发明能消除P型体区注入中聚合物的不良影响，从而能形成良好的沟道，还能对沟道的长度进行很好的控制。

主权项

1.一种NLDMOS的制造方法，其特征在于：在半导体衬底上形成深N阱，低压N阱，场氧隔离层以及在所述半导体衬底表面淀积栅介质层和用于形成多晶硅栅的第一多晶硅层后，包括步骤：步骤一、采用光刻工艺形成具有第一开口的第一光刻胶图形，所述光刻胶图形的第一开口定义出P型体区的形成区域；步骤二、以所述第一光刻胶图形为掩模，采用刻蚀工艺依次去除所述P型体区的形成区域的所述第一多晶硅层和所述栅介质层，并将所述深N阱表面露出；步骤二中所述第一多晶硅层刻蚀后形成所述多晶硅栅的第一侧面，相邻两个所述多晶硅栅的第一侧面形成第二开口，所述第二开口的侧面和所述第一开口的侧面对齐；在刻蚀所述第一多晶硅层的过程中会在所述第一光刻胶图形的表面形成聚合物；步骤三、对所述第一光刻胶图形表面进行灰化处理；所述灰化处理将表面形成有所述聚合物的所述第一光刻胶图形的表面部分去除，所述灰化处理同时将所述第一光刻胶图形的第一开口扩大为第三开口，所述第三开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸从而在所述多晶硅栅的第一侧面处形成由位于所述第二开口外以及所述第三开口内的所述第一多晶硅层组成的多晶硅突出部分；步骤四、进行所述P型体区的离子注入，所述P型体区的离子注入直接将P型杂质注入到所述第二开口底部的所述深N阱中以及所述P型体区的离子注入穿过所述多晶硅突出部分将P型杂质注入到所述多晶硅栅的第一侧面内的所述第一多晶硅层的底部且被所述第二多晶硅层覆盖的所述P型体区的表面用于形成沟道；通过去除所述第一光刻胶图形表面的所述聚合物保证所述P型体区的离子注入能将杂质注入所述多晶硅栅的第一侧面内的所述第一多晶硅层的底部，同时通过调节所述多晶硅突出部分的宽度调节所述沟道的长度；所述多晶硅突出部分的底部所述P型体区的P型杂质的深度小于所述第二开口底部的所述P型体区的P型杂质的深度，使和所述P型体区的侧面相接触的漂移区的掺杂浓度具有梯度分布结构；步骤五、去除所述第一光刻胶图形；之后采用快速热退火工艺对所述P型体区的离子注入的杂质进行推进；步骤六、采用光刻工艺定义出栅极区域，采用刻蚀工艺将栅极区域外的所述第一多晶硅层和所述栅介质层去除；步骤六中所述第一多晶硅层刻蚀后形成所述多晶硅栅的第二侧面并形成完整的所述多晶硅栅，由所述栅介质层和所述多晶硅栅叠加形成栅极结构；步骤七、在所述栅极结构的侧面形成侧墙；步骤八、进行N型重掺杂的源漏注入形成源区和漏区，所述源区形成于所述P型体区中并和所述P型体区上的所述多晶硅栅第一侧面的侧墙自对准。