[发明专利]一种MWT与TopCon结合的太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201910247239.1 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109935642A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 武青茹;张高洁;张凤鸣;路忠林;吴仕梁 | 申请（专利权）人： | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人： | 李玉平 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种MWT与TopCon结合的太阳能电池及其制造方法，太阳能电池包括打有多个负极孔的N型基底硅片；所述N型基底硅片的正面依次设有P+扩散发射极层、Al2O3钝化膜、SiNx减反射膜、正银栅线层和正银电极点层；所述N型基底硅片的背面依次设有超薄氧化层、P掺杂n型硅薄层、背面金属电极层和堵孔银浆电极点层。本发明可以有效提升少子寿命，提升太阳能电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 基底硅片 太阳能电池转换效率 背面金属电极层 超薄氧化层 发射极层 减反射膜 少子寿命 电极点 钝化膜 负极孔 银栅线 薄层 堵孔 极点 银电 银浆 背面 制造 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种MWT与TopCon结合的太阳能电池，其特征在于：包括打有多个负极孔的N型基底硅片；所述N型基底硅片的正面依次设有P+扩散发射极层、Al2O3钝化膜、SiNx减反射膜、正银栅线层和正银电极点层；所述N型基底硅片的背面依次设有超薄氧化层、P掺杂n型硅薄层、背面金属电极层和堵孔银浆电极点层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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