[发明专利]一种蓝宝石衬底片抛光方法

摘要

本申请提供了一种蓝宝石衬底片抛光方法，将铜抛后清洗干净的蓝宝石衬底片按照厚度分组，同一组内晶片厚度差异在10μm以内；提供一个陶瓷盘，陶瓷盘表面平整度在3μm以内，用贴蜡机将一组晶片均匀贴在距陶瓷盘边缘1cm的表面上，蜡冷却后晶片固定在陶瓷盘上；抛光机下盘表面贴上suba600或suba800的抛光布，将陶瓷盘贴有晶片的一面向下放置在抛光布上，下压上盘压紧陶瓷盘并使之跟随上盘同步转动，下盘与上盘同向转动，同时抛光布表面喷上粒径大小为80～350nm的的氧化铝抛光液，氧化铝抛光液与水的体积配比为1:6到1:15；抛光过程中，可以通过对抛光液冷却带走热量使抛光机下盘盘面温度控制在30～40℃；抛光结束后取下陶瓷盘，用毛刷对晶片进行冲水清洗。

主权项

1.一种蓝宝石衬底片抛光方法，其特征在于，所述的方法具体包括以下步骤：预处理：将铜抛后清洗干净的蓝宝石衬底片按照厚度分组，同一组内晶片厚度差异在10μm以内；贴蜡阶段：提供一个陶瓷盘，陶瓷盘表面平整度在3μm以内，用贴蜡机将一组晶片均匀贴在距陶瓷盘边缘1cm的表面上，蜡冷却后晶片固定在陶瓷盘上；使用三角量表以陶瓷盘表面为基准面校零；选一片晶片标记作为起始片，测量晶片中点数据，按此方法，以逆时针将同一组全部测完，并记录下数据；晶片抛光：抛光机下盘表面贴上suba600或suba800的抛光布，将陶瓷盘贴有晶片的一面向下放置在抛光布上，下压上盘压紧陶瓷盘并使之跟随上盘同步转动，下盘与上盘同向转动，同时抛光布表面喷上粒径大小为80～350nm的的氧化铝抛光液，所述氧化铝抛光液与水的体积配比为1:6到1:15，所述氧化铝抛光液可循环回收再次喷到抛光布上；下盘速度为45～55转/分钟，上盘速度为45～55转/分钟，上盘对晶片施加的压力为300～450g/cm²，抛光过程中，可以通过对抛光液冷却带走热量使抛光机下盘盘面温度控制在30～40℃；抛光液PH值可以根据PH计测量并添加氢氧化钾控制在12～13.5之间；抛光时间30分钟～60分钟，抛光液可以循环使用6～10批次；清洗：抛光结束后取下陶瓷盘，用毛刷对晶片进行冲水清洗；检测：使用三角量表从起始片开始逆时针量测晶片中点数据，将抛光后同一片的数据相减，算出去除速率，去除速率可达10μm/h；使用显微镜对晶片表面检查缺陷，划伤率≤5％的晶片放入到晶片盒内，得到蓝宝石衬底片外观检验的良品。