[发明专利]芯片失效测试结构、包括其的芯片及应用其的测试方法

摘要

本发明涉及芯片失效测试结构、包括其的芯片及应用其的测试方法，涉及芯片制造封装测试技术，通过芯片内部的多层金属层、位于金属层之间的通孔、芯片表面的焊垫、封装基板上的焊盘以及位于焊垫与焊盘之间的凸块组成测试通路，通过测试金属层、焊垫与焊盘中的任意两者之间的电学参数值判断芯片是否连接失效，并精确定位连接失效的位置，整合了晶圆制造工艺及封装厂倒装焊封装测试工艺的测试结构，使倒装焊封装之后芯片的可靠性测试更加简便。

主权项

1.一种芯片失效测试结构，用于倒装焊封装的芯片的失效测试，其特征在于，包括：多层金属层，相邻的两层金属层之间形成有通孔，以及位于芯片表面的焊垫，焊垫与与焊垫相邻的金属层之间形成有通孔；形成于焊垫上的凸块；以及封装基板，封装基板上包括焊盘，凸块位于焊盘与焊垫之间，以形成由多层金属层、位于金属层之间的通孔、焊垫、封装基板上的焊盘以及位于焊垫与焊盘之间的凸块组成的测试通路，用于基于金属层、焊垫与焊盘中的任意两者之间的电学参数值判断芯片是否连接失效。