[发明专利]一种匹配选择性发射极的低压扩散工艺

摘要

本发明涉及低温扩散领域。一种匹配选择性发射极的低压扩散工艺，沉积磷源，进行两次沉积。高温推进，进行两次推进;表面磷源沉积，沉积压力100‑120mbar，温度840‑850℃，通氮气300‑400sccm，三氯氧磷900‑1000sccm，沉积时间2‑3min,低温推进，推进压力100‑120mbar,温度780‑790℃，通氮气1100‑1300sccm，推进时间2‑3min。本方案通过优化低压扩散工艺，同时满足激光掺杂与非掺杂区域不同表面浓度的要求，最大程度发挥激光SE的优势。

主权项

1.一种匹配选择性发射极的低压扩散工艺，其特征在于：按照如下的步骤进行步骤一、沉积磷源，进行两次沉积，首先设置沉积压力100‑120mbar，温度740‑760℃，通氮气流量300‑400sccm，三氯氧磷流量900‑1000sccm，氧气流量800‑900sccm，进行第一次沉积，沉积时间9‑10min；然后进行二次沉积，沉积压力100‑120mbar，温度780‑820℃，通氮气1200‑1400sccm，三氯氧磷流量900‑1000sccm，不通入氧气，沉积时间6min;步骤二、 高温推进，进行两次推进，第一次推进，推进压力100‑120mbar，温度830‑850℃，氮气流量1500‑1900 sccm，氧气流量400‑600 sccm，时间4min；然后进行二次推进，推进压力100‑120mbar，温度850℃，氮气流量1500 sccm，不通入氧气，时间3min;步骤三、表面磷源沉积，沉积压力100‑120mbar，温度840‑850℃，通氮气300‑400sccm，三氯氧磷900‑1000sccm，沉积时间2‑3min;步骤四、低温推进，推进压力100‑120mbar,温度780‑790℃，通氮气1100‑1300sccm，推进时间2‑3min。