[发明专利]三维存储器及其制备方法、及电子设备有效
| 申请号： | 201910249860.1 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110085596B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王启光 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器及其制备方法、及电子设备。所述三维存储器的制备方法包括：提供晶圆结构，其中，所述晶圆结构具有沟道孔，所述沟道孔内形成有外延结构；在所述外延结构上形成疏水涂层；在所述沟道孔内形成电荷存储层，所述疏水涂层使所述电荷存储层形成在所述沟道孔的侧壁；去除所述疏水涂层，以使所述沟道孔露出所述外延结构；在所述电荷存储层与所述外延结构上形成沟道层。本发明解决了沟道层与外延结构(SEG)接触不良所导致沟道整体电阻值(RS)偏高，甚至导致沟道导通失败，进而影响器件的电性能的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供晶圆结构，其中，所述晶圆结构具有沟道孔，所述沟道孔内形成有外延结构；在所述外延结构上形成疏水涂层；在所述沟道孔内形成电荷存储层，所述疏水涂层使所述电荷存储层形成在所述沟道孔的侧壁；去除所述疏水涂层，以使所述沟道孔露出所述外延结构；在所述电荷存储层与所述外延结构上形成沟道层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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