[发明专利]具有栅极正交壁的单向自对准栅极端盖（SAGE）架构在审
| 申请号： | 201910250196.2 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110323217A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | W.M.哈夫茨;S.戈文达拉祖;M.刘;S.S.廖;简嘉宏;N.林德特;C.肯扬;S.苏布拉马尼安 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;张金金 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了具有栅极正交壁的单向自对准栅极端盖（SAGE）架构，以及制作具有栅极正交壁的单向自对准栅极端盖（SAGE）架构的方法。在示例中，集成电路结构包括第一半导体鳍，其具有沿第一半导体鳍的长度的切口。第二半导体鳍具有沿第二半导体鳍的长度的切口。栅极端盖隔离结构位于第一半导体鳍和第二半导体鳍之间。栅极端盖隔离结构具有沿第一和第二半导体鳍的长度的充分均匀的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体鳍 栅极端 正交壁 自对准 隔离结构 架构 集成电路结构 制作 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：第一半导体鳍，所述第一半导体鳍具有沿所述第一半导体鳍的长度的切口；第二半导体鳍，所述第二半导体鳍具有沿所述第二半导体鳍的长度的切口；以及位于所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间的栅极端盖隔离结构，所述栅极端盖隔离结构具有沿所述第一和第二半导体鳍的所述长度的基本上均匀的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
