[发明专利]一种半导体器件的分析方法有效
| 申请号： | 201910250532.3 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109948283B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 苏炳熏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/398 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的分析方法，用以分析制造HKMG鳍式场效应晶体管的多个工艺参数，上述分析方法具体包括：将上述多个工艺参数两两为一组，构建多个工艺参数模型；对每一个上述工艺参数模型进行敏感性分析；基于上述敏感性分析的结果从上述多个工艺参数模型中提取多个关键工艺参数模型；以及对上述多个关键工艺参数模型进行数据挖掘，以确定上述多个工艺参数中的多个关键工艺参数及其关联性。根据本发明所提供的分析方法，通过数据挖掘突出显示和分组相关的工艺参数，并解释工艺参数变化的来源。为调整工艺方案提供可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的分析方法，用以分析制造HKMG鳍式场效应晶体管的多个工艺参数，其特征在于，所述分析方法包括：将所述多个工艺参数两两为一组，构建多个工艺参数模型；对每一个所述工艺参数模型进行敏感性分析；基于所述敏感性分析的结果从所述多个工艺参数模型中提取多个关键工艺参数模型；以及对所述多个关键工艺参数模型进行数据挖掘，以确定所述多个工艺参数中的多个关键工艺参数及其关联性。
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