[发明专利]半导体存储器元件及其制作方法

摘要

本申请涉及半导体存储器元件及其制作方法。本发明公开了一种半导体存储器件，包含半导体基材，具有有源区域及介于有源区域之间的沟渠绝缘区域。各有源区域沿着第一方向延伸。埋入字线，位在半导体基材中，沿着第二方向延伸。各有源区域与两条埋入字线相交，将各有源区域区分为三部位：一位线接触区及两个存储单元接触区。第二方向不垂直于第一方向。位线接触结构，直接设在位线接触区上。存储节点接触结构，直接设在各存储单元接触区上。位线接触结构与存储节点接触结构为共平面。位线，位在半导体基材的主表面上，沿着第三方向延伸。位线直接接触位线接触结构。

主权项

1.一种半导体器件，其包括：有源区域和介于所述有源区域之间的沟渠隔离区域，所述有源区域中的每一者包括在第一方向延伸的长边；埋入字线，其在第二方向延伸，所述埋入字线中的两者与所述有源区域中的每一者相交并将所述有源区域中的每一者分成位线接触区和两个单元接触区，其中所述第二方向不垂直于所述第一方向；位线接触，其与所述位线接触区相邻；存储节点接触，其与所述两个单元接触区中的每一者相邻，其中所述位线接触和所述存储节点接触基本上是共面的；以及至少一个位线，其在第三方向延伸，其中所述至少一个位线和所述位线接触相邻。