[发明专利]非易失性存储器装置及其中的编程方法在审
| 申请号： | 201910250910.8 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110390971A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李康斌;朴一汉;赵钟侯 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/18;G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性存储器装置以及对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对非易失性存储器装置进行编程的方法中，通过接地选择晶体管由源线的预充电电压对多个单元串的通道预充电。在第N个编程循环的验证读取时间段期间，将导通电压施加到多个单元串中的选择的单元串的选择的接地选择晶体管。在第N个编程循环的验证读取时间段完成之后，维持施加到选择的接地选择晶体管的导通电压而不恢复所述导通电压，以针对第(N+1)个编程循环对通道预充电。通过在验证读取操作完成之后，维持所述选择的接地选择线的导通电压而不恢复所述导通电压，以对单元串的通道预充电，降低了功耗并提高了操作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 导通电压 非易失性存储器装置 接地选择晶体管 编程循环 预充电 编程 读取 验证 时间段 施加 接地选择线 预充电电压 读取操作 功耗 源线 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种对包括多个单元串的非易失性存储器装置进行编程的方法，其中，所述多个单元串的第一单元串包括连接在位线和源线之间的第一串选择晶体管、第一多个存储器单元和第一接地选择晶体管，并且其中，所述多个单元串的第二单元串包括连接在所述位线和所述源线之间的第二串选择晶体管、第二多个存储器单元和第二接地选择晶体管，所述方法包括：通过所述第一接地选择晶体管由所述源线的预充电电压对所述第一单元串的第一通道预充电，以及通过所述第二接地选择晶体管由所述源线的所述预充电电压对所述第二单元串的第二通道预充电；在第N个编程循环的验证读取时间段期间，将导通电压施加到选择的单元串的选择的接地选择晶体管，所述选择的单元串包括所述第一单元串，所述选择的接地选择晶体管包括所述第一接地选择晶体管，其中，N为自然数；以及在所述第N个编程循环的所述验证读取时间段完成之后，维持施加到所述选择的接地选择晶体管的所述导通电压而不恢复所述导通电压，以针对第(N+1)个编程循环对所述第一单元串的所述第一通道进一步预充电。
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