[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法在审
申请号: | 201910251870.9 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN109765751A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 黄增智;倪凌云;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 薛异荣;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法,修正方法包括:选择任意一条第一待补偿边作为第一处理边;根据偏移补偿函数,获取第一处理边中各位置处的第一初始补偿量,第一初始补偿量具有第一补偿最小值和第一补偿最大值;获取第一处理边的第一目标补偿量,第一处理边中各位置处的第一目标补偿量相同,第一目标补偿量大于等于第一补偿最小值且小于等于第一补偿最大值;重复选择任意一条第一待补偿边作为第一处理边、获取第一初始补偿量和第一目标补偿量的步骤,直至获取到所有第一待补偿边的第一目标补偿量;根据第一待补偿边和第一目标补偿量获取光刻补偿图形;对光刻补偿图形进行OPC修正,得到修正图形。所述方法提高了修正精度和修正效率。 | ||
搜索关键词: | 目标补偿 初始补偿 修正 光学邻近修正 补偿图形 位置处 掩膜版 偏移补偿 重复选择 光刻 制作 | ||
【主权项】:
1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:提供目标光刻图形,所述目标光刻图形包括若干第一类型子光刻图形;将第一类型子光刻图形分割为若干第一特征图形,所述第一特征图形具有第一待补偿边;提供偏移补偿函数;选择任意一条第一待补偿边作为第一处理边;根据偏移补偿函数,获取第一处理边中各位置处的第一初始补偿量,第一处理边中各位置处的第一初始补偿量具有第一补偿最小值和第一补偿最大值;获取第一处理边的第一目标补偿量,第一处理边中各位置处的第一目标补偿量相同,第一目标补偿量大于等于第一补偿最小值且小于等于第一补偿最大值;重复选择任意一条第一待补偿边作为第一处理边、获取第一处理边中各位置处的第一初始补偿量、以及获取第一处理边的第一目标补偿量的步骤,直至获取到所有第一待补偿边的第一目标补偿量;根据第一待补偿边和第一待补偿边的第一目标补偿量,获取目标光刻图形对应的光刻补偿图形;对光刻补偿图形进行OPC修正,得到修正图形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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